场效应管(Field-Effect Transistor,简称FET)是一种电子器件,其工作原理基于电场效应。在FET中,VGS是一个重要的参数,代表栅极-源极电压。简单地说,VGS是控制场效应管开启和关闭的电压。
场效应管的开启和关闭是通过栅极电压控制的,当VGS达到或超过一定的开启电压(也称为阈值电压或门槛电压)时,场效应管就会从截止状态转变为导通状态,这个开启电压是使场效应管内部形成导电通道所需的最低电压。
“场效应管VGS电压高于开启电压”意味着你正在对场效应管施加一个大于其开启阈值的电压,在此情况下,场效应管会开始导电,允许电流从其源极流向其漏极,如果VGS低于开启电压,场效应管则会处于截止状态,基本上不导电。
需要注意的是,不同的场效应管有不同的开启电压,这取决于其特定的设计和制造工艺,在实际应用中,必须确保正确地为场效应管提供适当的VGS电压,以实现所需的开关状态。